机译:电子在具有反向能带结构的HgTe量子阱中穿过平面单势垒隧穿
SKLSM, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, China;
School of Physics and Optoelectronic Technology and College of Advanced Science and Technology, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China;
SKLSM, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, China;
spin polarized transport; tunneling; electronic transport in nanoscale materials and structures;
机译:具有倒带结构的HgTe量子阱中的异常电子准直
机译:具有倒带结构的HgTe量子点中的螺旋量子态
机译:“极端环路”模型用于HGTE / HGCDTE量子阱的价带谱,半机阶段中的倒带结构
机译:用倒带结构的N-HGTE / CD_(x)HG_(1-x)TE量子阱的有效G因子的问题
机译:平面微波器件中的单带和多频段带式滤波的缺陷信号线结构
机译:垂直隧穿单电子晶体管的平面和范德华异质结构
机译:反向HgTe量子阱的价带能谱 乐队结构
机译:谐振隧穿HgTe / Hg(1-x)Cd(x)Te双势垒,单量子阱异质结构