(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程

金华; 刘舒; 张振中; 张立功; 郑著宏; 申德振

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(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程

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设计了(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用吸收光谱、室温光致发光谱和飞秒脉冲抽运-探测方法研究了该复合结构中的激子隧穿过程.分别测量了该结构中CdZnTe/ZnTe量子阱层和ZnSeTe/ZnTe量子阱层中激子衰减时间.观察到从CdZnTe/ZnTe量子阱层向ZnSeTe/ZnTe量子阱层的快速激子隧穿,隧穿时间为5.5 ps.

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来源
《物理学报》 |2008年第10期|6627-6630|共4页
作者
金华; 刘舒; 张振中; 张立功; 郑著宏; 申德振;
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作者单位

中国人民公安大学安全防范系,北京,102416;

中国人民公安大学安全防范系,北京,102416;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春,130033;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春,130033;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春,130033;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春,130033;

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正文语种 chi
中图分类化学 ; 物理学 ;
关键词
(CdZnTe ; ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱; 激子 ; 隧穿 ; 抽运-探测;

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