(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减

张振中; 申德振; 张吉英; 单崇新; 张立功; 杨春雷; 吕有明; 刘益春; 范希武

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为了研究低维半导体结构中的激子过程,并进一步实现超快速的激子衰减,设计了一种新型的(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用低压金属有机化学气相沉积方法(LPMOCVD)制备出来.用泵浦-探测方法,采用反射式光路测量了该复合结构中CdZnTe/ZnTe量子阱的激子衰减,单指数衰减拟合给出690fs的下降沿时间.

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来源
《发光学报》|2003年第3期|257-260|共4页
作者
张振中; 申德振; 张吉英; 单崇新; 张立功; 杨春雷; 吕有明; 刘益春; 范希武;
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作者单位

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130022;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130022;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130022;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130022;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130022;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130022;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130022;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130022;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130022;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体性质;
关键词
(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱; 激子衰减; 泵浦-探测;
入库时间 2023-07-25 14:48:55

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