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李惠; 贾晓卫;
青岛科技大学数理学院;
单势垒; 隧穿; 势垒厚度;
机译:一维器件结构中依赖于势垒的电子隧穿寿命
机译:Si / SiO_2双势垒结构中势阱粗糙度引起的从共振隧穿到单电子隧穿的转变
机译:电子在具有反向能带结构的HgTe量子阱中穿过平面单势垒隧穿
机译:单势垒异质结构中通过伪量子阱共振隧穿GaAs中N Ã,β,/ sup> / N + sup>结的电子反射的观察
机译:双势垒隧穿结中纳米结构的原子尺度理解:部分氧化的铝化镍上碱掺杂的buckminsterfullerenes的扫描隧穿显微镜(110)。
机译:通过CoFe纳米粒子的单电子传输中的长自旋寿命和大势垒极化
机译:对称和非对称双势垒隧穿结的单电子隧穿I-V特性
机译:N-Ge肖特基势垒中的单电子和声子辅助隧穿
机译:具有电子隧穿势垒层的高效半导体光电器件结构及其制造方法
机译:单电子隧穿力谱和动态隧穿力显微镜的高度控制方法
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