机译:等离子体增强化学气相沉积法在Ge-S-I系统中制备玻璃
Russian Acad Sci GG Devyatykh Inst Chem High Pur Subst Nizhnii Novgorod 603950 Russia|NI Lobachevski Nizhny Novgorod State Univ Nizhnii Novgorod 603950 Russia;
Russian Acad Sci GG Devyatykh Inst Chem High Pur Subst Nizhnii Novgorod 603950 Russia;
Chalcogenide glasses; Ge-S-I system; PECVD;
机译:等离子体增强化学气相沉积法在Ge-S-I系统中制备玻璃
机译:等离子体增强化学气相沉积法制备Ge-S-I和Ge-Sb-S-I玻璃
机译:通过等离子增强化学气相沉积法在各种玻璃上直接低温合成石墨烯,用于多功能,高性价比电极
机译:以As-S系统为例,通过等离子体化学气相沉积法制备硫属化物玻璃
机译:晶格匹配的III-V / IV组半导体异质结构:金属有机化学气相沉积和远程等离子体增强化学气相沉积。
机译:在Nafion负载的电化学沉积钴纳米粒子上进行等离子体增强化学气相沉积产生的金属/碳杂化纳米结构
机译:微波等离子体增强的化学气相沉积制备功能梯度薄膜。具有防水表面的氧化硅膜。