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Formation of a broad photoluminescence band from Si+-implanted SiO2 films by varying the heating rate of rapid thermal annealing

机译:通过改变快速热退火的加热速率,由注入Si +的SiO2薄膜形成宽的光致发光带

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摘要

Abstract. Varying the heating rate of rapid thermal annealing u0001RTAu0002 re-nveals a broadband shift of room-temperature photoluminescence u0001PLu0002 inn3u00011016 cm−2 Sin+-implanted 400-nm-thick SiO2 films after RTA atn1150°C in dry nitrogen. At a heating rate of 100°C/s, the PL peaks shiftnfrom 2.6 eV to 1.7 eV for isothermal RTA durations from 1 to 20 s. Addi-ntionally, decreasing the heating rate to 25°C/s does not significantly shiftnthe PL peak in the films after the isothermal RTA for durations u00021 s. Thenattractive features of RTA provide a valuable reference for manufacturingnof optoelectronic devices. © 2010 Society of Photo-Optical InstrumentationnEngineers. u0003DOI: 10.1117/1.3461964
机译:抽象。通过改变快速加热退火的加热速率,可以反映室温光致发光的宽带位移。在干燥氮气中,RTA在n1150°C下注入Sin +后,植入了400 nm厚的SiO2薄膜。在100°C / s的加热速率下,等温RTA持续时间从1到20 s,PL峰从2.6 eV变为1.7 eV。另外,将加热速率降低至25°C / s不会显着地改变等温RTA后持续u00021 s的时间。 RTA的诱人特性为光电子器件的制造提供了宝贵的参考。 ©2010光电仪器工程师协会。 u0003DOI:10.1117 / 1.3461964

著录项

  • 来源
    《Optical Engineering》 |2010年第7期|p.1-4|共4页
  • 作者单位

    Air Force AcademyDepartment of Avionics EngineeringKangshan, Kaohsiung, 820TaiwanE-mail: fumy@cc.cafa.edu.tw;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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