MEVVA离子源（Si,Er）双注入热氧化SiO2／Si薄膜近红外光致发光？…

徐飞; 程国安

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利用金属蒸发真空孤（ＭＥＶＶＡ）离子源将Ｓｉ和Ｅｒ离子双注入到不同厚度热氧化ＳｉＯ２／Ｓｉ薄膜，获得高浓度Ｅｒ掺杂硅基发光薄膜。ＲＢＳ分析表明，稀土元素Ｅｒ离子掺杂到热氧化ＳｉＯ２／Ｓｉ薄的Ｅｒ原子浓度百分比达到－１０ａｔ，即Ｅｒ原子体浓度为－１０＾２１／ｃｍ＾３这是高能离子注入所不能达到的，它为稀土Ｅｒ离子高掺杂硅基发光薄膜的制备提供了一个新途径。ＸＰＳ研究发现，热氧化ＳｉＯ２膜厚，溅射保留量

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来源
《国外金属热处理》 |2000年第2期|14-16|共3页
作者
徐飞; 程国安;
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作者单位

南昌大学材料科学与工程系;

北京师范大学低能核物理研究所;

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正文语种 CHI
中图分类 TN304.12;
关键词
MEVVA离子源; 掺杂; 热氧化; 双注入; 硅; 光致发光;

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