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SOI ピクセルセンサー

机译:SOI像素传感器

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摘要

SOIとは、Silicon-On-Insulator(絶縁膜上シリコン)の略称です。2つのシリコンウエハーを、絶縁膜(主にSiO_2)を介して張り合わせる技術をSOI技術と呼びます。SOI技術により作製されたSOIウエハーを半導体プロセスラインに流し、数十~数百nm の薄いSOI層にSOI-CMOS 回路を形成させます。単一のシリコンから成る、通常のバルクシリコンに形成させたバルクCMOS 回路と比べると、絶縁膜を介していることから寄生容量が小さくなり、高速かつ低消費電力駆動ができます。また、デジタル・アナログ両回路を互いに接近させてもクロストークが生じにくいので、省スペース化が可能です(※1)。これらの利点を生かし、今日ではパソコンやゲーム機のCPU等にSOI技術が採用されています。
机译:SOI是绝缘体上硅(绝缘膜上的硅)的缩写。通过绝缘膜(主要是SiO_2)将两个硅晶片粘合在一起的技术称为SOI技术。将通过SOI技术生产的SOI晶片流到半导体生产线中,并在几十到几百纳米的薄SOI层上形成SOI-CMOS电路。与由单块硅构成的由普通块状硅形成的块状CMOS电路相比,由于绝缘膜的缘故,寄生电容较小,并且可以进行高速且低功耗的驱动。此外,即使数字电路和模拟电路都靠近,也不太可能发生串扰,因此可以节省空间(* 1)。利用这些优势,如今,SOI技术已用于个人计算机和游戏机的CPU中。

著录项

  • 来源
    《原子核研究 》 |2012年第2期| p.3-4| 共2页
  • 作者

    三好敏喜;

  • 作者单位

    高エネルギー加速器研究機構;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
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