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田犁; 苗田乐; 危峻; 汪辉;
中国科学院上海技术物理研究所,上海200010;
中国科学院上海高等研究院,上海201210;
微电子学与固体电子学; 有源像素; P+重掺杂保护层; 单粒子效应; 电荷分享;
机译:使用HV-SOI工艺的耗尽型单块有源像素传感器的电荷收集特性
机译:使用HV-SOI工艺对LH-LHC进行升级的耗尽型单块有源像素传感器的测试光束结果
机译:使用180 nm HV-SOI工艺对辐射进行电离的单片有源像素传感器
机译:超过120 dB的宽动态范围3.0μm像素图像传感器,像素电容为41.7 fF / um 2 sup>,并且通过BEOL 3D电容器工艺实现了高可靠性
机译:基于TFT的有源像素传感器,用于大面积热中子检测。
机译:有源像素成像仪结合了基于多晶硅薄膜晶体管的像素级放大器
机译:180 nm SOI单片有源像素传感器的辐射硬度
机译:具有二进制计数器的单片有源像素矩阵在sOI过程中
机译:用于诊断研究的X射线探测器,例如在外科手术中,具有包括像素元件的有源矩阵层,该像素元件具有用于将光转换为图像信息的电开关元件
机译:在有源矩阵发光二极管(AMLED)系统中运行,以使显示器的像素行,电压源和地中的像素变暗,刷新周期以及在刷新周期中设置消隐周期以及刷新周期如何系统,以及使显示器上的有源矩阵发光二极管中的形成多条线的像素阵列变暗,以使显示器像素上的有源矩阵发光二极管的阵列变暗
机译:绝缘体上硅(SOI)有源像素传感器,其光敏材料在基板中实现
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