机译:外部偏压对C_1〜+和C_8〜+轰击对聚碳酸酯二次带电发射的影响
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki 305-8565, Japan;
机译:多电荷Si q〜+离子轰击Si时的二次离子发射
机译:金表面上高电荷离子轰击的潜在溅射
机译:倍增电荷的铜离子轰击过程中的势能耗散通道
机译:电子束轰击改进先进技术上无源电压对比度的带电势定量分析方法
机译:基于离子轰击二次发射的紧凑型电子枪
机译:二次电子发射引起带负电荷的航天器周围的势垒
机译:来自100meVα-粒子轰击sup(24,25,26)mg,sup 27 al和sup 28 si靶核的二次带电粒子的列表截面