机译:优化用于高级退火的预非晶化和掺杂剂注入条件
Appl Mat Inc, Front End Prod Grp, Sunnyvale, CA 94086 USA;
ion implantation; advanced annealing; ultra-shallow junctions;
机译:先进的源极/漏极工程技术,用于在100 nm以下的SOI CMOS中使用激光退火和预非晶化注入形成盒形超浅结
机译:利用激光退火和预非晶化注入形成和控制箱形超浅结
机译:覆盖层和退火时间的优化对植入式异质结整流器中掺杂物分布的影响
机译:先进退火的预非晶化和掺杂剂注入条件的优化
机译:使用硅烷超压对碳化硅中铝掺杂剂的注入退火
机译:Taguchi法优化球化退火条件改善1022碳素钢卷的力学性能
机译:覆盖物的影响与退火时间对植入异质整流掺杂剂分布的影响
机译:退火条件对si +和mg +注入211 GaN掺杂抗旋转性能的影响