机译:利用激光退火和预非晶化注入形成和控制箱形超浅结
IBM Semiconductor Research and Development Center, 1000 River Road, Essex Junction, VT 05452, USA;
laser annealing; pre-amorphization implantation; ultra-shallow junction; transient enhanced diffusion;
机译:先进的源极/漏极工程技术,用于在100 nm以下的SOI CMOS中使用激光退火和预非晶化注入形成盒形超浅结
机译:等离子体注入硼的激光退火用于硅中的超浅结
机译:与传统的尖峰退火溶液共注入以形成45 nm n型金属氧化物半导体超浅结
机译:通过预非晶化注入和微波退火形成超浅结
机译:使用等离子体浸没离子注入和外延二硅化钴作为掺杂源的超浅结制造。
机译:P和Al注入的4H-SiC外延层的激光退火
机译:脉冲激光退火,用于形成用于纳米级金属氧化物半导体技术的超浅线
机译:用于太阳能电池结形成的离子注入Cz硅的激光退火