机译:CF_4,CCl_4,CF_2Cl_2,CClF_3和CFCl_3在30-5000 eV处电子散射的总截面:修正的加性规则法
Department of Physics, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China;
electron scattering; total cross section; additivity rule;
机译:CF4,CCl4,CF2Cl2,CClF3和CFCl3在30-5000 eV处电子散射的总截面:修正的加性法则
机译:在30-5000 eV处C6H6,C6F6,C6H12,C6H14,C6F14,C8H16,C8H18和C8F18进行电子散射的总截面的几何屏蔽校正方法
机译:氟甲烷中电子散射的总横截面:修正的加和规则法
机译:来自HE和NE中的电子散射的总横截面在冷电子碰撞中
机译:含有H,B,C,N,O,F,Si,P,S和CL的分子的总电子散射横截面在0.1-6.0 keV中
机译:在强束缚K壳电子的情况下理论和实验康普顿散射截面在1.12 MeV
机译:来自能量范围内的吡啶分子的总电子散射横截面1-200eV
机译:锂电子弹性散射及电子对锂,钠,钾的总截面影响。