机译:CF4,CCl4,CF2Cl2,CClF3和CFCl3在30-5000 eV处电子散射的总截面:修正的加性法则
Henan Normal Univ, Dept Phys, Xinxiang 453007, Peoples R China;
Aeronaut Coll AF, Dept Fdn, Xinyang 464000, Peoples R China;
Luoyang Normal Univ, Dept Phys, Luoyang 471022, Peoples R China;
electron scattering; total cross section; additivity rule; ELASTIC-SCATTERING; ENERGY-RANGE; HYDROCARBON MOLECULES; INTERMEDIATE ENERGIES; POLYATOMIC-MOLECULES; CH4 MOLECULES; POSITRONS; C2H2; C2F6; CO;
机译:计算30〜5000 eV上几种分子的电子散射总截面的修正势方法:CF4,CCl4,CFCl3,CF2Cl2和CF3Cl
机译:CF_4,CCl_4,CF_2Cl_2,CClF_3和CFCl_3在30-5000 eV处电子散射的总截面:修正的加性规则法
机译:在30-5000 eV处C6H6,C6F6,C6H12,C6H14,C6F14,C8H16,C8H18和C8F18进行电子散射的总截面的几何屏蔽校正方法
机译:来自HE和NE中的电子散射的总横截面在冷电子碰撞中
机译:含有H,B,C,N,O,F,Si,P,S和CL的分子的总电子散射横截面在0.1-6.0 keV中
机译:在强束缚K壳电子的情况下理论和实验康普顿散射截面在1.12 MeV
机译:CF3Cl,CF2Cl2和CFCl3对电子进行弹性散射的截面
机译:F12,F11,ClONO2,N2O5,HNO3,CCl4,CF4,F21,F113,F114和HNO4的近似吸收截面