机译:使用正电子寿命谱研究层状堆叠样品中的正电子分布
Institute of Physics, Opole University, ul. Oleska 48, 45-052 Opole, Poland,lnstitute of Nuclear Physics PAN, ul Radzikowskiego 152, 31-342 Krakow, Poland;
lnstitute of Nuclear Physics PAN, ul Radzikowskiego 152, 31-342 Krakow, Poland;
positron implantation profile; layered samples; silver; gold; aluminum;
机译:正电子寿命谱研究层状样品中e〜+的分布
机译:用于计算多层堆叠中正电子空间分布的多散射模型,可用于常规正电子测量
机译:从正电子寿命和压力体积温度(PVT)实验获得的聚苯乙烯-丙烯腈共聚物中的自由体积结构-II。正电子an没寿命谱(PALS)产生的局部自由体积
机译:正电子寿命谱研究层状样品中e +的分布
机译:飞行时间正电子an灭诱导的俄歇电子能谱研究了真空退火下6H-碳化硅的表面改性。
机译:通过正电子湮没寿命光谱和椭圆仪孔隙测定研究的开放孔隙率和孔径分布的介孔二氧化硅膜
机译:热处理对X射线地形和正电子湮灭寿命谱研究的单晶叶片根缺陷结构的影响