正电子寿命谱仪探头结构的研究以及粒子描迹仪中阴极适应多丝室电荷灵敏放大器的研制

摘要

该论文工作包括两个部分,第一部分为正电子湮灭寿命谱仪探头结构的研究,第二部分为北京正负电子对撞机(BEPC)中粒子描迹仪系统中电荷灵敏放大器及的研究.一、正电子湮灭寿命谱仪探头结构的研究.目前,正电子湮灭寿命谱方法已应用于金属材料结构分析及金属疲劳探测等领域的研究中.但是由于正电子寿命谱仪探头得结构特点,限制了它在实际中对金属物件内部微观结构及疲劳程度的探查应用.为此我们对正电子湮灭寿命谱仪探头结构做了初步的改进及研究.该文介绍正电子寿命谱仪的原理、结构、数据分析以及在测量中的一些问题;提出对正电子湮灭寿命谱仪结构的改进方案:一、单探头结构的设想,通过调研分析认为在现有的条件下单探头结构是不可行的;二、改进双探头的位置结构的设想,对这种结构进行了初步的分析讨论,并在此基础上进行实验研究.得知双探头改进结构可行性及条件.二、粒子描迹仪系统读出放大器的研制.描迹仪探测器用来探测高能粒子飞行中的轨迹.其结构为三个并行排列的多丝正比室,当有粒子穿过丝室时,三个丝室则给出粒子击中点的位置信息,由此确定粒子飞行轨迹.正比室被击中丝输出的电荷信号小于皮库量级,该论文工作研制完成了相应的电荷灵敏前置放大器和主放大成形电路;研究和应用了电荷重心读出法进行丝室的定位测量技术,使多丝正比室系统的位置分辨达到300μm.

目录

致谢

第一部分关于正电子湮灭寿命谱仪结构的研究

绪论

第一章正电子初步介绍

第一节正电子的性质

第二节正电子的湮灭特性

第三节正电子湮灭γ辐射角关联和正电子湮灭多普勒展宽

第二章正电子湮灭寿命谱测量技术

第一节正电子源及其制备

第二节样品的制备

第三节γ与物质的相互作用

第四节正电子寿命谱测量

第五节正电子寿命谱仪的参数和标定

第六节寿命谱的数据分析

第七节寿命谱测量中的一些问题

第三章正电子寿命谱仪改造的原理

第一节现有正电子寿命谱仪的缺点

第二节单探头探测器的设想

第三节双探头探测器的设想

第四章试验结果及其讨论

第一节试验装置以及试验样品

第二节试验结果及其讨论

第五章结论以及展望

参考文献

第二部分粒子描迹仪中阴极适应多丝室电荷灵敏放大器的研制

引言

第一章粒子描迹仪总体介绍

第一节北京正负电子对撞机简介

第二节BEPC试验束

第二章粒子描迹仪系统介绍

第一节多丝正比室信号的读出

第二节阴极感应电荷的分布及重心读出

第三节阴极电荷灵敏放大器

第三章结论

参考文献