机译:透射电子显微镜/阴极发光分析白光,碳化,介孔二氧化硅纳米复合材料中电子辐射引起的缺陷的演变
Nagoya Inst Technol, Dept Mat Sci & Engn, Nagoya, Aichi 4668555, Japan;
Natl Acad Sci Ukraine, Inst Semicond Phys, Pr Nauky 41, UA-03028 Kiev, Ukraine;
Japan Fine Ceram Ctr, Nagoya, Aichi 4568587, Japan;
Nagoya Univ, Grad Sch Engn, Nagoya, Aichi 4648603, Japan;
Nagoya Univ, Inst Mat & Syst Sustainabil, Nagoya, Aichi 4648603, Japan;
Carbonized mesoporous silica; White-light emission; Cathodoluminescence; Photoluminescence; Scanning transmission electron microscopy; Electron energy-loss spectroscopy;
机译:高分辨率透射电镜和阴极发光研究SnO2烧结缺陷
机译:硅酸锆之间的关系:通过阴极发光和透射电子显微镜检查
机译:Mg离子缺陷演化在高温下植入GaN和超高N_2分压退火:透射电子显微镜分析
机译:使用阴极发光和高分辨率透射电子显微镜缺陷横截面金刚石薄膜的缺陷分析
机译:介孔二氧化硅纳米粒子的生物学应用和透射电镜研究
机译:阴极发光和截面透射电镜研究Berkovich纳米压痕下GaN薄膜的形变行为
机译:阴极缺陷和透射电子显微镜研究晶体缺陷对GaN中光学跃迁的影响
机译:介孔二氧化硅纳米粒子的生物学应用和透射电子显微镜研究博士论文