机译:在MeV SIMS能量下,由于〜(12)C,〜(16)O和〜(28)Si离子束,金属氧化物薄膜中的L壳X射线产生截面
Natl Res Fdn, iThemba LABS, POB 722, ZA-7129 Somerset West, South Africa;
Natl Res Fdn, iThemba LABS Gauteng, P Bag 11, ZA-2050 Johannesburg, South Africa;
Tshwane Univ Technol, Phys Dept, P Bag X680, ZA-0001 Pretoria, South Africa;
X-ray production cross section; Multiple ionisation; ECPSSR; Heavy ion PIXE; MeV SIMS; Total IBA;
机译:在0.1MeV / U-1.0MeV / U能量下测量V,Zr和Sn金属氧化膜中的C-12(Q +)和Cl-35(Q +)离子诱导的X射线产生横截面
机译:MeV / u能量范围中〜(12)C,〜(16)O,〜(32)S和〜(48)Ti离子束产生的Pt L X射线截面
机译: 12 SUP> C, 16 SUP> O, 32 SUP> S和 48 SUP> Ti离子束的Pt L射线横截面在MeV / u能量范围内
机译:能量低于1 MeV的质子对L壳X射线产生的横截面的现状
机译:0.4和铀M壳X射线产生的横截面,用于0.4–4.0 MeV质子,0.4–6.0 MeV氦离子,4.5–11.3 mev碳离子和4.5–13.5 MeV氧离子
机译:超薄溅射金属对酚醛树脂薄膜的金属绝缘体转变:生长形态与表面自由能和反应性的关系
机译:/ sup 3 / h(p,n)/ sup 3 / he和/ sup 6 / li(n,t)/ sup 4 / s的差分横截面通过使用5. 95和19.15 mev和1重新评估PT中子产量横截面,最高可达12 MeV