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田野; 常宏伟; 杨浩智; 杜树斌; 杨治虎;
不详;
中国科学院近代物理研究所;
产生截面; 金属元素; K壳层; X射线; O5+离子; 入射; 面形; 离子轰击;
机译:在L子壳X射线荧光截面和L子壳荧光产生元件73 <= <= 92的L子壳X射线荧光截面上的影响59.54keV光子
机译:5.0-7.5 MeV〜(10)B〜(2+)离子对所选稀土元素的影响而产生的L壳X射线产生截面
机译:通过4.511.3MeV碳离子和4.513.5MeV氧离子轰击产生的and和铀M壳X射线截面
机译:通过〜4He〜+离子的影响评价L-壳X射线产生横截面
机译:0.4和铀M壳X射线产生的横截面,用于0.4–4.0 MeV质子,0.4–6.0 MeV氦离子,4.5–11.3 mev碳离子和4.5–13.5 MeV氧离子
机译:使用非集体X射线汤姆森散射在脉冲功率产生的热致密等离子体中测量温度和密度
机译:通过电子碰撞测量Ge的绝对K壳电离截面和L壳X射线产生截面
机译:X射线光电子诱导金属表面氢离子解吸的截面
机译:制造用于在其中形成有凹入部分的绝缘层上形成含金属元素的层的半导体器件的制造方法,包括其中形成有凹入部分的绝缘层和在其中形成有凹入部分的绝缘层上的半导体层的半导体器件
机译:用于处理金属表面的组合物,金属表面上的Passivadora层,表面,在金属表面上形成Passivadora层的方法,组合物的用途,在金属表面上的体系以及形成衬里系统的方法Imento
机译:测量入射在X射线荧光存储屏幕上的X射线强度,测量由于吸收X射线而产生的闪烁光
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