离子轰击

摘要： 高电荷态离子（Highly Charged Ions,HCIs）与固体表面相互作用的研究是近年来原子与分子物理中的一个重要研究方向,相关的研究已拓展到等离子体物理、核探测器、离子注入改性与加工等领域。其中,高电荷态离子引起的电子发射研究具有重要的科学研究价值及广阔的应用前景,因而受到世界上许多著名实验室及科研人员的高度重视。这是因为在靶电子与入射粒子之间只有很小的动量传输,

摘要： A sufficient thickness uranium nitride layer w as prepared by the surface glow plasma nitriding .To investigate the irradiation stability of the uranium nitride ,argon ion bombardment of different energy w as applied to simulate irradiation oxidation behav‐iors ,and the behaviors were compared with the oxidation behaviors in atmosphere .It is found that the surface morphology of uranium nitride obviously changes after argon ion bombardment .The results show that there exist great differences in the oxidation behaviors .The degree of oxidation on the surface increases after ion bombardment ,but the influence on oxidation behaviors is mainly in the shallow surface layer .The one in atmosphere has a thicker oxide layer .The degree and depth of oxidation increase with the bombarding energy .The influence caused by irradiation to uranium nitride reduces with the increment of the depth ,and the integral stability of uranium nitride layer is not affected by the irradiation .%采用离子氮化技术制备得到一定厚度的氮化铀层，以不同能量的氩离子轰击考察氮化铀的辐照氧化行为，并与大气中的自然氧化行为进行对比，考察材料在辐照环境下的稳定性。结果表明，氮化铀表面经氩离子轰击后，表面形貌发生了改变；氩离子轰击氧化与大气中的自然氧化行为存在差异，离子轰击增强了氮化铀表面的氧化程度，但其对氧化行为的影响主要在浅表面，大气氧化的氮化铀氧化层更厚；随着氩离子轰击能量的增加，表面氧化物含量及氧化层深度显著增加。总体而言，氩离子辐照对氮化铀层的影响随深度的增加而减弱，并不影响氮化铀的整体稳定性。

摘要： 在分析利用真空镀膜技术在光学镜片上镀增透膜和红外截止膜过程中,决定膜层附着强度的各种因素,以及这些因素是如何影响膜层牢固度的基础上,针对镜片生产中存在的掉膜问题,提出了切实可行的解决办法.除了对镀膜工艺进行技术改造以外,关键是镜片抛光后的及时清洁和防护,以及镜片镀前的清洁处理.

摘要： 利用双辉等离子渗金属技术在0Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢表面制备了一层均匀、致密、呈良好冶金结合的渗锆合金层,并对1 060°C下的渗锆动力学进行了研究.结果表明:随着距锆合金层表面距离的增加,锆元素的含量呈梯度递减,扩散系数逐渐减小,而扩散激活能逐步增大;在1 060°C采用双辉等离子技术渗锆时,渗锆合金层表层的空位密度为2.945×(1012～1013) cm-2,与相同温度下采用常规渗金属工艺相比,提高了1～2个数量级.

摘要： 采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术,制备了高锗含量（原子百分含量）的氢化微晶硅锗（μc-Si1-x Gex：H）材料。通过锗含量、拉曼光谱、吸收系数以及电导率测试,研究了不同离子轰击条件下μc-Si1-xGex：H薄膜的结构及光电性能。在高离子轰击条件下制备的高锗含量的μc-Si1-xGex：H薄膜显示,锗的掺入速度有所降低,晶化率和吸收系数较高且光敏性明显提高;本征层锗含量x=77%的μc-Si1-xGex：H太阳电池的量子效率在长波段显著增强且光谱响应拓展至1 300nm,此时电池效率达到3.16%。

摘要： 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备了高锗含量(原子百分含量)的氢化微晶硅锗(μc-Si1-xGex:H)材料.通过锗含量、拉曼光谱、吸收系数以及电导率测试,研究了不同离子轰击条件下μc-Si1-xGex:H薄膜的结构及光电性能.在高离子轰击条件下制备的高锗含量的μc-Si1xGex:H薄膜显示,锗的掺入速度有所降低,晶化率和吸收系数较高且光敏性明显提高;本征层锗含量x=77％的μc-Si1 Gex:H太阳电池的量子效率在长波段显著增强且光谱响应拓展至1 300 nm,此时电池效率达到3.16％.

摘要： 结合当前国内外石墨烯改性的研究进展,分别从表面改性和电子性能改性两个方面介绍了石墨烯的改性方法.其中,石墨烯表面改性包括共价键功能化和非共价键功能化;石墨烯电子性能改性包括掺杂和离子轰击.讨论了各种改性方法的优缺点,并在原有改性方法的基础上,展望了未来石墨烯改性的发展方向.

摘要： 117号背诵元素周期表的学生可能又要再多记忆一个元素了。在德国亥姆霍兹重离子研究中心，欧洲、美国、印度等多国研究人员在粒子加速器中，用钙离子轰击放射性元素锫，成功生成117号元素。117号元素很快又衰变成115号元素和113号元素。

摘要： 使用福建省水产研究所研制的以水为介质水产生物离子轰击诱变机，分别以铝离子和钾离子，同时用峰值为2.1KeV、2.7KeV和3.4KeV三个档次轰击强度轰击日本锦鲤的受精卵，结果，在当代，铝离子轰击组体色组合数分别是16组、19组和23组，对照仅有7组，铝离子轰击组的体色组合数是对照组的2.3-3.3倍;钾离子轰击组体色组合数分别是12组、13组和26组，对照仅有8组，钾离子轰击组的体色组合数是对照组的1.5～3.3倍。日本锦鲤受精卵随离子轰击强度的增强，体色组合数随着增加，效果显著(P<0.01)。

摘要： 在场发射器件中，比如场发射显示器件，阴极的跌落是一个影响器件寿命的关键因素，而阴极在工作过程中受到的离子轰击可能导致阴极的跌落。 本文研究了离子轰击对纳米氧化锌阴极的影响。实验表明，离子轰击对纳米氧化锌阴极场发射特性有严重的影响，特别是在开启场强、阈值场强和场发射电流密度等方面。离子轰击对纳米氧化锌阴极场发射特性的影响主要是由于氧化锌阴极的功函数的增加和场增强因子的减小造成的。氧化锌阴极离子轰击特性的研究对其能成为可靠的场发射冷阴极具有重要意义。

摘要： 我国生产细管径冷阴极荧光灯(CCFL)已有多年历史了,但是这种灯管两端的黑化现象始终困扰着CCFL灯的生产.因为灯头黑化会严重影响灯的寿命.产生这种黑化现象的原因归结起来可以有很多个,但是电极材料不耐离子轰击,溅射率高,是造成灯管两端发黑的一个很重要的原因.因为溅射出来的电极材料很容易与灯管内的汞蒸气结合生成汞的化合物沉积在管壁上形成黑头,从而降低灯管中的汞蒸气压,使发光效率下降甚至使灯管寿命提前终止.所以,研制出一种抗离子轰击能力强的电极材料显得十分必要.

摘要： 显像管中的残余气体是影响显像管质量和寿命的重要因素,通过四极质谱残余气体分析系统,可以对显像管中的残余气体进行有效的分析,对带消气剂的真空器件,本底要考虑扣除消气剂作用的影响.在此基础上可以进行残余气体离子轰击的计算机模拟研究,并对显像管电子枪进行优化设计。

摘要： GaN基半导体材料在紫外/蓝光/绿光发光二极管、激光器、探测器,以及高频高温大功率电子器件等方面有着重要而广泛的应用.目前,高质量的GaN材料通常由MOCVD和MBE在高温条件下进行生长,本文依托RF-MBE提出了两种非高温的方式来增加原子的表面迁移能力，为进而实现高质量GaN的低温生长提供可能的途径的离子。本文研究了在低温生长时，离子轰击对材料质量的影响，样品D在生长过程中将氮等离子体源出口处的偏压关闭，从而让离子到达样品表面进行轰击，其它生长条件与样品C-致。其XRD和AFM的测试结果如Table 1所示，从中可以看出，此时的离子轰击减小了FWHM(002)和RMS，但增加了FWHM(102)，说明离子轰击增强了C轴取向，减小了刃位错，但增加了螺位错。样品D的RHEED图如Fig, 2(d)所示，从中可以看出，离子轰击并没有使表面更粗糙。

摘要： 对辉光离子轰击下Si3N4陶瓷表面复合电镀层中Ti原子的扩散现象及扩散机理进行了研究。研究发现,辉光离子轰击不仅可使电镀镍钛层中Ti原子向Si3N4陶瓷界面作定向扩散,在陶瓷界面处形成Ti原子的富集,而且可以促进陶瓷界面化学反应的进行,生成Ni3Si、Ni2Si、NiSi2和Ti5Si3等多种化合物。进一步分析认为,辉光离子轰击在镀层表面形成的空位浓度梯度,是造成Ti定向扩散和促进界面反应的主要原因。

摘要： Artuhk等使用轻炮弹(15N，18O和22Ne)以及中等质量的炮弹(40Ar等)轰击232Th靶，先后合成了几十个未知的类弹同位素。他们的研究首次证明了重离子引起的多核子转移反应是产生轻元素的新丰中子同位素的有效方法。本文介绍了关于中能12C离子轰击天然Bi靶，Hg同位素的厚靶平均产生截面与Qgg值依赖关系的实验结果。

摘要： 用CH4、NH3和H2为反应气体,利用等离子体增强热丝化学气相沉积系统在沉积有碳膜的Si衬底上制备了碳尖端.利用原子力显微镜和显微Raman光谱仪对沉积的碳膜表征的结果表明碳膜是非晶碳膜,并且粗糙不平.用扫描电子显微镜对碳尖端表征的结果表明碳尖端的形貌与偏压电流有关,即随着偏压电流的增大,碳尖端的顶角减小,高度增大.由于在碳尖端形成的过程中,既有离子的沉积又有离子的溅射,结合有关等离子沉积和溅射的理论,建立了碳尖端的形成模型,并根据模型分析了实验结果.

摘要： CH4、NH3和H2为反应气体,利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统在无和有辉光放电的条件下制备了不同结构的碳纳米尖端,并用扫描电子显微镜和显微Raman光谱仪对碳纳米尖端进行了研究.结果表明碳纳米尖端是石墨结构,在有辉光放电时,能够形成顶角较小的碳纳米尖端.根据有关等离子体和溅射的理论分析,在有辉光放电时能够形成顶角较小的碳纳米尖端是由于离子的溅射刻蚀所致.

摘要： 本文用液-固掺杂法制备了氧化铕和氧化钪的复合稀土氧化物掺杂钨粉,利用这种钨粉研制出扩散阴极的多孔钨基体和阴极.复合掺杂钨基体中稀土氧化物的分布更加均匀,铕元素有很强的扩散迁移能力和向基体表面偏聚的能力,阴极具有较高的电子发射水平.

摘要： 本发明的某些示例实施例涉及电致变色器件(100，1500)、结合了电致变色器件的组件及其制造方法。高度耐用的电致变色器件包括使用高速率偏压增强溅射沉积制备的氧化钨(例如，W03或其他合适的化学计量法)膜(102，1510)。溅射是在低压(例如，1mTorr)环境下进行的，并且偏压非常高(例如，大于‑400V，更优选地大于‑500V)，这会引起高能离子轰击，所述高能离子轰击进而导致W03基质的部分纳米结晶，同时产生离子扩散所需的多孔微结构。

摘要： 本申请涉及一种等离子轰击温度检测工具及等离子轰击温度检测方法，等离子轰击温度检测工具用于检测等离子轰击工件的轰击温度；其中，等离子轰击温度检测工具包括基体以及感温层，感温层设置与基体的一侧，且感温层构造为能够响应于温度变化而发生颜色变化。该等离子轰击温度检测工具能够实现等离子清洗过程中的温度管控。

摘要： 本发明涉及离子源技术领域，具体而言，涉及一种防离子轰击的离子源装置，包括：壳体、磁铁、导磁件、阳极件、石墨阴极、第一极靴和第二极靴。壳体开设有第一凹槽；第一极靴设置于第一凹槽内，磁铁设置于第一极靴的两端并贴合于第一凹槽的内壁，导磁件设置于第一极靴与磁铁所形成的第二凹槽内，阳极件设置于导磁件的内腔，第二极靴设置于导磁件与磁铁形成的承载平台上，石墨阴极包裹于第二极靴，石墨阴极用于阻挡从阳极件发射的电子对第二极靴进行轰击。如此，离子在阳极的加速下轰击产品时，石墨阴极能够阻挡从阳极件发射的离子对第二极靴进行轰击，从而有效的保护第二极靴，同时避免对环境造成污染。

摘要： 本发明实施例提供了Cr离子轰击改善多弧离子镀涂层性能的方法，该方法中，Cr离子轰击后的TiN涂层表面粗糙度降低，Cr离子轰击TiN涂层后，在TiN涂层表面形成了一层薄薄的TiCrN固溶体，其中的Cr离子在加工过程中会氧化形成Cr

摘要： 本实用新型涉及一种用于离子注入机的离子轰击碰撞装置，包括：离子注入机外防护筒；固定板，固定板对称设置于离子注入机外防护筒两侧；支撑机构，支撑机构对称设置于离子注入机外防护筒两侧，并分别于对应固定板连接；往复摆动机构，往复摆动机构对称设置于离子注入机外防护筒两侧，并彼此相向固定在两侧固定板端面上；延长臂，延长臂一端与往复摆动机构固定连接，另一端转动连接于离子注入机外防护筒的外壁，以增加离子注入机外防护筒与往复摆动机构之间的连接距离，往复摆动机构用于驱动延长臂往复摆动，以带动离子注入机外防护筒往复摆动。本实用新型具有以下优点和效果：能够增加摆动幅度，使得离子的轰击碰撞更充分，提高轰击碰撞的效果。

摘要： 本实用新型公开了一种离子轰击装置，包括加热装置，所述加热装置包括若干发热管、第一外壳和真空室，所述真空室为胶囊状结构，所述真空室包括第二外壳、真空泵、温度传感器和镀膜组件，所述发热管与第二外壳抵接，所述真空泵设于真空室顶面，所述真空泵设有出风口和密封盖板，所述密封盖板设有密封胶圈，所述温度传感器设于真空室底面，所述镀膜组件两侧均匀设有若干镀膜夹具，通过设置加热装置可以加快设备在使用时更快速达到最佳温度。

摘要： 本实用新型公开了一种离子轰击装置及真空镀膜生产线，其包括：壳体、轰击板、电连接器和绝缘结构，壳体内部设置有腔体；轰击板安装于所述腔体内，所述轰击板上设置有接线座；电连接器设置于所述壳体，所述腔体内设置有导线，所述接线座与所述电连接器通过所述导线电连接；绝缘结构设置于所述轰击板和所述壳体之间并能够对二者进行绝缘处理。轰击板相比于现有的轰击棒，在其平面一侧不仅拥有更大的有效轰击面积，并且可以直接确定轰击的方向，因此可以有效地提高原子离化的速度，并减少能量的逸散，进而大大提高镀膜的作业效率。

摘要： 本实用新型公开了一种高压离子轰击的真空镀膜机，包括镀膜机主体，镀膜机主体的下端固定连接有四个底脚，且四个底脚呈左右对称分布，镀膜机主体的上内壁与下内壁之间固定连接有两个支柱，两个支柱的对立端均开设有滑槽，两个滑槽内均滑动安装有控温组件，镀膜机主体的下内壁前端固定连接有电机固定台与轴固定架，电机固定台的上端固定连接有上料组件，镀膜机主体的下内壁中部固定连接有镀膜装置，镀膜机主体的后内壁固定连接有定位板，镀膜机主体的前端可拆卸连接有外壳，本实用新型通过设置上料组件，达到自动化上料、省时省力的目的；本实用新型通过设置控温组件，达到主动控温、保证镀膜质量的目的。

摘要： 本实用新型公开了一种基材离子轰击装置，包括其结构本体，结构本体包括若干个阴极发射组件、若干个正极收集组件、炉体、真空负压机、压力检测器及气体压缩机；正极收集组件包括绝缘底座、伸缩杆及正极金属槽，绝缘底座设置在炉体底部内表面，炉体为双层结构，炉体包括不锈钢支撑外壳及绝缘层，真空负压机、压力检测器及气体压缩机均分别设置在不锈钢支撑外壳外表面；阴极发射组件包括负极线插头、阴极导电套、阴极导电杆、绝缘外壳、绝缘垫圈及螺母及防弧罩；离子束较为集中，轰击的渗透速度更快，加工件的硬化层相比来说更深，遍布面积广，扩散速度快，工件的变形小，整体的加工效率更加高，产品的质量更好。

摘要： 本实用新型公开了一种应用于真空镀膜设备的离子轰击清洗装置，包括安装座、电极和轰击棒，所述安装座包括上绝缘座、下绝缘座和固定柱，所述的上绝缘座和下绝缘座之间夹持安装板，所述固定柱上设置有轴向贯穿的通孔，所述电极贯穿通孔，电极的下端连接轰击棒，上端螺纹连接有第二螺母，所述第二螺母与第一螺母可旋转固定连接，电极的外壁中部设置有凸起条，所述通孔的内壁上设置有与凹槽。本实用新型具有的优点是本装置的轰击棒安装在电极上，电极则螺纹连接至一螺母上，而该螺母则与固定柱旋转连接，在旋转螺母后，因螺母不能在轴向上移动，则导致电极在轴向上移动，即可调节轰击棒与基片的距离，不用拆卸下整个装置，也不用改变真空状态。