机译:/ sup 3 / h(p,n)/ sup 3 / he和/ sup 6 / li(n,t)/ sup 4 / s的差分横截面通过使用5. 95和19.15 mev和1重新评估PT中子产量横截面,最高可达12 MeV
机译:在每个氢原子中〜9Be,〜11B,〜12C,〜14N,〜15N,〜16O,〜20Ne,〜22Ne,〜56Fe和〜58Ni原子核中400-650 MeV的光束的片段的生产截面目标。 I.装药量变化和总横截面
机译:在中子能为10-12 MeV的锆的某些同位素上的(n,p),(n,alpha)和(n,2n)反应的截面以及使用14 MeV d(是)中子谱。
机译:在液态氢靶中相互作用的400-650 MeV PER核素〜9Be,〜11B,〜12C,〜14N,〜16O,〜20Ne,〜56Fe和〜58Ni核束的片段的生产截面。二。碎片的同位素截面
机译:用于95 MeV中子的硅的实验双差分光离子产量横截面
机译:0.4和铀M壳X射线产生的横截面,用于0.4–4.0 MeV质子,0.4–6.0 MeV氦离子,4.5–11.3 mev碳离子和4.5–13.5 MeV氧离子
机译:在强束缚K壳电子的情况下理论和实验康普顿散射截面在1.12 MeV
机译:用于95 MeV中子的硅的实验双差分光离子产量横截面