机译:半导体J系列硅光倍增器的质子辐射损伤和退火效应
Los Alamos National Laboratory Los Alamos NM 87545 USA;
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Silicon photomultiplier; SiPM; Radiation damage; Proton; Dark current; Annealing;
机译:辐射损伤SECSL J系硅光电倍增器使用101.4 meV质子
机译:硅NPN功率晶体管30MeV质子辐射和退火效应分析
机译:高剂量质子辐照后加速退火对p型硅微带探测器的影响
机译:质子辐照硅探测器中的一些退火效应
机译:质子辐照对半导体硒化镉/硫化锌核/壳纳米晶体的影响。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:航天用薄膜硅太阳能电池:质子辐照和热退火对太阳能电池和单个层特性的影响研究
机译:半导体中的辐射损伤n1)辐照增强在硅中的扩散2)辐照半导体中的存储能量n3)辐照半导体中的缺陷迁移率