高品質・高信頼性MOSデバイスの製造プロセスに関する研究

摘要

近年、携帯電話やデジタルカメラ等のデジタルモバイル機器の普及が目覚しい。不揮発性記憶集積回路の一つであるフラッシュEEPROM（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）は、これらの機器に搭載される主要部品としての地位を確立している。フラッシュメモリは基板と浮遊電極との間に高い電圧を誘起して電子を浮遊電極に注入したり吸出したりする。このトンネル酸化膜には、10MV/cmもの高電界を印加するにもかかわらず、極めて高い信頼性が要求されている。現状9nm程度のトンネル酸化膜においても、微細化を前提として薄膜化することにより駆動電圧を減らし低消費電力化する方向にある。