高质量纳米线CMOS器件及其制造方法及包括其的电子设备

摘要

公开了基于高质量外延层的纳米线互补金属氧化物半导体(CMOS)器件及其制造方法及包括其的电子设备。根据实施例，CMOS器件可以包括衬底以及在衬底上形成的p型器件和n型器件。p型器件和n型器件之一可以包括：与衬底相隔开的第一半导体纳米线，其中第一半导体纳米线沿弯曲的纵向延伸方向延伸；至少部分环绕第一半导体纳米线的外周形成的第一半导体层；在衬底上形成的隔离层，隔离层露出第一半导体层；以及在隔离层上形成的与第一半导体层相交的第一栅堆叠。