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【24h】

HANDLE GaAs AND GaN MMICs WITH CARE

机译:小心处理GaAs和GaN MMIC

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摘要

PROPER PROCEDURES MUST be used when building integrated assemblies that incorporate gallium-arsenide (GaAs) or gallium-nitride (GaN) monolithic microwave integrated circuits (MMICs). Hence, this topic is the subject of Qorvo's white paper titled, "GaAs and GaN Die Assembly and Handling Procedures." In it, Qorvo discusses component placement, attachment, and interconnect techniques that can be utilized to successfully build assemblies containing GaAs or GaN MMICs.
机译:当构建包含砷化镓(GaAs)或氮化镓(GaN)单片微波集成电路(MMIC)的集成组件时,必须使用正确的程序。因此,该主题是Qorvo白皮书题为“ GaAs和GaN晶粒的组装和处理程序”的主题。 Qorvo在其中讨论了可用于成功构建包含GaAs或GaN MMIC的组件的组件放置,连接和互连技术。

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  • 来源
    《Microwaves & RF 》 |2017年第5期| 116-116| 共1页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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