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机译:采用0.12 SiGe BiCMOS工艺的19.4 dBm Q波段E类功率放大器
Class-E; hetrojunction bipolar transistor (HBT); power amplifier (PA); silicon germanium (SiGe);
机译:2.1 GHz 30 DBM功率放大器在0.18 M SiGe BICMOS过程中
机译:SiGe 0.12-
机译:具有串联共面变压器功率分配器和合并器的55nm SiGe BiCMOS中的1.29W / mm 2 sup> 23-dBm 66-GHz功率放大器
机译:采用0.12 µm SiGe BiCMOS工艺的Q波段/ W波段双波段功率放大器
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:高平均功率Yb:CaF2飞秒放大器集成了同时进行时空聚焦的激光材料加工
机译:168-195 GHz功率放大器,输出功率大于BICMOS技术的18 dBm