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168-195 GHz Power Amplifier With Output Power Larger Than 18 dBm in BiCMOS Technology

机译：168-195 GHz功率放大器，输出功率大于BICMOS技术的18 dBm

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Abdul Ali; Jongwon Yun; Franco Giannini; Herman Jalli Ng; Dietmar Kissinger; Paolo Colantonio;
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年度 2020
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1. A 16.5–28 GHz 0.18- m BiCMOS Power Amplifier With Flat dBm Output Power [J] . IEEE microwave and wireless components letters . 2014,第2期

机译：具有dBm平坦输出功率的16.5–28 GHz 0.18-m BiCMOS功率放大器
2. A 15.5-dBm 160-GHz High-Gain Power Amplifier in SiGe BiCMOS Technology [J] . Muhammad Furqan, Faisal Ahmed, Bernd Heinemann, Microwave and Wireless Components Letters, IEEE . 2017,第2期

机译：采用SiGe BiCMOS技术的15.5 dBm 160 GHz高增益功率放大器
3. A 234–261-GHz 55-nm SiGe BiCMOS Signal Source with 5.4–7.2 dBm Output Power, 1.3% DC-to-RF Efficiency, and 1-GHz Divided-Down Output [J] . Stefan Shopov, Andreea Balteanu, Juergen Hasch, IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2016,第9期

机译：一个234-261-GHz 55-nm SiGe BiCMOS信号源，具有5.4-7.2 dBm的输出功率，1.3％的DC-RF效率和1GHz的分频输出
4. 60-GHz SiGe-BiCMOS Power Amplifier With 14.7 dBm Output Power and 18 dB Power Gain [C] . Ali Ferchichi, Sami Ur Rehman, Corrado Carta, German Microwave Conference . 2019

机译：具有14.7 dBm输出功率和18 dB功率增益的60GHz SiGe-BiCMOS功率放大器
5. A 3.6 GHz Doherty Power Amplifier with a 40 dBm Saturated Output Power using GaN on SiC HEMT Devices. [D] . Baker, Bryant. 2014

机译：使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器，其饱和输出功率为40 dBm。
6. Compact 20-W GaN Internally Matched Power Amplifier for 2.5 GHz to 6 GHz Jammer Systems [O] . Min-Pyo Lee, Seil Kim, Sung-June Hong, 2020

机译：适用于2.5 GHz至6 GHz干扰器系统的紧凑型20W GaN内部匹配功率放大器
7. A 5-GHz Class-E3F2 Power Amplifier with 51 PAE and 21-dBm Output Power on 65nm CMOS [O] . Love Matthew, Thian Mury, Grebennikov Andrei 2017

机译：一个5 GHz E3F2类功率放大器，在65nm CMOS上具有51％的PAE和21dBm的输出功率
8. 18-GHz, 10.9-dBm Fully-Integrated Power Amplifier with 23.5% PAE in 130-nm CMOS [R] . Cao, C. , Xu, H. , Su, Y. , 2005

机译：18 GHz，10.9 dBm全集成功率放大器，130 nm CmOs中具有23.5％paE

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