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IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium

召开年：2013
召开地：Monterey, CA(US)
出版时间：-

会议文集：-

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1.A Monolithic Integrated mHEMT Chipset for High-Resolution Submillimeter-Wave Radar Applications

机译：适用于高分辨率亚毫米波雷达应用的单片集成mHEMT芯片组
- 作者：Tessmann A.;Leuther A.;Massler H.;Lewark U.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
2.A Novel Even Odd-Mode Symmetric Circuit Decomposition Method

机译：一种新颖的奇偶模对称电路分解方法
- 作者：Roberg Michael;Campbell Charles
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
3.A Novel Technique for GaN HEMT Trap States Characterisation

机译：GaN HEMT阱态表征的新技术
- 作者：Wright Peter;Thorsell Mattias
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
4.A 1.4 GHz MMIC Active Cold Noise Source

机译：1.4 GHz MMIC有源冷噪声源
- 作者：Scheeler Robert;Popovic Zoya
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
5.A 107 GHz 55 dB-Ohm InP Broadband Transimpedance Amplifier IC for High-Speed Optical Communication Links

机译：用于高速光通信链路的107 GHz 55 dB-Ohm InP宽带跨阻放大器IC
- 作者：Bloch Eli;Park Hyun-chul;Griffith Zach;Urteaga Miguel
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
6.A 108-GHz Retimer Based on 1.8V QUASI-ECL MOS-HBT SiGe BiCMOS Logic

机译：基于1.8V QUASI-ECL MOS-HBT SiGe BiCMOS逻辑的108GHz重定时器
- 作者：Fu Yingying;Voinigescu Sorin P.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
7.A 16-24 GHz CMOS SOI LNA with 2.2 dB Mean Noise Figure

机译：具有2.2 dB平均噪声系数的16-24 GHz CMOS SOI LNA
- 作者：Kanar Tumay;Rebeiz Gabriel M.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
8.A 180mW InP HBT Power Amplifier MMIC at 214 GHz

机译：214 GHz的180mW InP HBT功率放大器MMIC
- 作者：Reed Thomas B.;Griffith Zach;Rowell Petra;Field Mark
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
9.A 2#x000D7;44Gb/s 110-GHz Wireless Transmitter with Direct Amplitude and Phase Modulation in 45-nm SOI CMOS

机译：在45nm SOI CMOS中具有直接幅度和相位调制的2×44Gb / s 110-GHz无线发送器
- 作者：Balteanu Andreea;Shopov Stefan;Voinigescu Sorin P.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
10.A 200-245 GHz Balanced Frequency Doubler with Peak Output Power of +2 dBm

机译：一个200-245 GHz平衡倍频器，峰值输出功率为+2 dBm
- 作者：Lin Hsin-Chang;Rebeiz Gabriel M.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
11.A 227.5GHz InP HBT SSPA MMIC with 101mW Pout at 14.0dB Compressed Gain and 4.04 PAE

机译：具有11.0dB压缩增益和4.04％PAE的101mW输出的227.5GHz InP HBT SSPA MMIC
- 作者：Griffith Zach;Urteaga Miguel;Rowell Petra;Pierson Richard
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
12.A 2-5GHz 100W CW MMIC Limiter Using a Novel Input Topology

机译：使用新型输入拓扑的2-5GHz 100W CW MMIC限制器
- 作者：Bouchez Joseph;Nguyen Tuong;Zomorrodian Valiallah;Reese Eli
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
13.A 32-nm CMOS Frequency Locked Loop for 20-GHz Synthesis with ± 7.6 ppm Resolution

机译：用于20 GHz合成的32 nm CMOS锁频环，分辨率为±7.6 ppm
- 作者：Bousquet Jean-Francois;Aouini Sadok;Ben-Hamida Naim;Wolczanski John
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
14.A 3-Vppd 730-mW Linear Driver IC Using InP HBTs for Advanced Optical Modulations

机译：使用InP HBT进行高级光调制的3Vppd 730mW线性驱动器IC
- 作者：Nagatani Munehiko;Bouvier Yves;Nosaka Hideyuki;Murata Koichi
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
15.A 60MHz Bandwidth High Efficiency X-Band Envelope Tracking Power Amplifier

机译：60MHz带宽高效X波段包络跟踪功率放大器
- 作者：Theilmann Paul T.;Yan Jonmei J.;Vu Cuong;Moon Jeong-Sun
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
16.A 7.3 THz Cut-Off Frequency, Inline, Chalcogenide Phase-Change RF Switch Using an Independent Resistive Heater for Thermal Actuation

机译：使用独立电阻加热器的7.3 THz截止频率，串联，硫族化物相变RF开关，用于热激励
- 作者：El-Hinnawy Nabil;Borodulin Pavel;Wagner Brian P.;King Matthew R.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
17.A CMOS SOI Stacked Shunt Switch with Sub-500ps Time Constant and 19-Vpp Breakdown

机译：具有500ps以下时间常数和19Vpp击穿电压的CMOS SOI堆叠式并联开关
- 作者：Levy Cooper S.;Asbeck Peter M.;Buckwalter James F.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
18.A DC-100 GHz Bandwidth and 20.5 dB Gain Limiting Amplifier in 0.25µm InP DHBT Technology

机译：0.25µm InP DHBT技术中的DC-100 GHz带宽和20.5 dB增益限制放大器
- 作者：Daneshgar Saeid;Griffith Zach;Rodwell Mark J.W.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
19.A DFT Loopback Scheme for ADC ENOB Testing Using an All-Digital ATE

机译：使用全数字ATE进行ADC ENOB测试的DFT回送方案
- 作者：Aouini Sadok;Kurowski Christopher;Ben-Hamida Naim;Bousquet Jean-Francois
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
20.A GaAs MMIC Single-Chip RF-MEMS Switched Tunable LNA

机译：GaAs MMIC单芯片RF-MEMS开关可调LNA
- 作者：Malmqvist Robert;Samuelsson Carl;Reyaz Shakila;Gustafsson Andreas
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
21.A Geometry Scalable Approach to InP HBT Compact Modeling for mm-Wave Applications

机译：用于毫米波应用的InP HBT紧凑建模的几何可扩展方法
- 作者：Nardmann T.;Sakalas P.;Chen Frank;Rosenbaum T.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
22.A Low Power Quad 25.78-Gbit/s 2.5 V Laser Diode Driver Using Shunt-Driving in 0.18 µm SiGe-BiCMOS

机译：使用0.18 µm SiGe-BiCMOS分流驱动的低功耗四路25.78-Gbit / s 2.5 V激光二极管驱动器
- 作者：Moto Akihiro;Ikagawa Tomoko;Sato Shunsuke;Yamasaki Yasuo
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
23.A Low-Spurious E-Band GaAs MMIC Frequency Converter for Over-Gbps Wireless Communication

机译：低杂散E波段GaAs MMIC变频器，用于Gbps以上的无线通信
- 作者：Morita Yasuhiro;Kishimoto Shuya;Ito Masaharu;Motoi Keiichi
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
24.A Q-Band/W-Band Dual-Band Power Amplifier in 0.12 µm SiGe BiCMOS Process

机译：采用0.12 µm SiGe BiCMOS工艺的Q波段/ W波段双波段功率放大器
- 作者：Wu Po-Yi;Buckwalter James F.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
25.A SiGe BiCMOS W-Band LNA with 5.1 dB NF at 90 GHz

机译：SiGe BiCMOS W波段LNA在90 GHz时具有5.1 dB NF
- 作者：Yang Yang;Cacina Seyhmus;Rebeiz Gabriel M.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
26.A Total Bandwidth Expanded Dual-Band GaN Doherty PA toward the LTE-A Carrier Aggregation Application

机译：面向LTE-A载波聚合应用的总带宽扩展的双频带GaN Doherty PA
- 作者：Hayakawa Makoto;Shiikuma Kazumi;Kaneko Tomoya
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
27.A X-Band 28 dBm Fully Integrated Power Amplifier with 23 dB Gain

机译：具有23 dB增益的X波段28 dBm全集成功率放大器
- 作者：Li Jiankang;Xiong Yong-Zhong;Li Yihu;Wu Wen
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
28.GaAs E Band Radio Chip-Set

机译：GaAs E波段无线电芯片组
- 作者：Tarazi Jabra;Rodriguez Melissa C.;Dadello Anna;McCulloch MacCrae G.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
29.Advances in High-Speed DACs, ADCs, and DSP for Software Defined Optical Modems

机译：用于软件定义的光调制解调器的高速DAC，ADC和DSP的进步
- 作者：Laperle Charles;Ben-Hamida Naim;OSullivan Maurice
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
30.Analog Linearization Techniques Suitable for RF Power Amplifiers Used in Integrated Transmitters

机译：适用于集成发射机中的RF功率放大器的模拟线性化技术
- 作者：Braithwaite R.Neil
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
31.Best Practices for System Level ESD Testing of Semiconductor Components

机译：半导体组件的系统级ESD测试的最佳做法
- 作者：Muhonen Kathleen
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
32.Low Distortion CATV Power Amplifier Using GaAs HJFET and GaN FET Cascode Distortion Cancellation Technique

机译：利用GaAs HJFET和GaN FET级联失真消除技术的低失真CATV功率放大器
- 作者：Takenaka Isao;Ishikura Kohji;Takahashi Shinnosuke;Asano Kazunori
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
33.Metamorphic HEMT Technology for Microwave, Millimeter-Wave, and Submillimeter-Wave Applications

机译：适用于微波，毫米波和亚毫米波应用的变质HEMT技术
- 作者：Komiak James J.;Smith Phillip M.;Duh K.H.George;Xu Dong
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
34.Tunnel Transistors for Low Power Logic

机译：低功耗逻辑的隧道晶体管
- 作者：Datta S.;Bijesh R.;Liu H.;Mohata D.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
35.30 PAE W-Band InP Power Amplifiers Using Sub-Quarter-Wavelength Baluns for Series-Connected Power-Combining

机译：30％PAE W波段InP功率放大器，使用亚四分之一波长平衡-不平衡变压器进行串联连接的功率合并
- 作者：Park Hyun-chul;Daneshgar Saeid;Rode Johann C.;Griffith Zach
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
36.Advanced Packaging and Thermal Management for High Power Density GaN Devices

机译：高功率密度GaN器件的高级封装和热管理
- 作者：Zhao Yuan;Semenic Tadej;Bhunia Avijit
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
37.Double Recessed GaAs pHEMTs for 20-50 V Power Switching

机译：双隐式GaAs pHEMT，用于20-50 V电源开关
- 作者：Pala Vipindas;Hella Mona;Chow T.Paul
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
38.Efficient Powering of RF PAs Using DC-DC Power Supplies

机译：使用DC-DC电源为RF PA高效供电
- 作者：Fayed Ayman A.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
39.GaN Transistors - The Best Emerging Technology for Power Conversion from DC through RF

机译：GaN晶体管-从DC到RF的功率转换的最佳新兴技术
- 作者：Lidow Alex
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
40.More Than Moore: GaN HEMTs and Si CMOS Get It Together

机译：超越摩尔：GaN HEMT和Si CMOS融合在一起
- 作者：Kazior T.E.;LaRoche J.R.;Hoke W.E.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
41.Nanocrystalline Diamond for near Junction Heat Spreading in GaN Power HEMTs

机译：用于GaN Power HEMT中近结热扩散的纳米晶金刚石
- 作者：Anderson T.J.;Hobart K.D.;Tadjer M.J.;Koehler A.D.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
42.230-240 GHz, 30 dB Gain Amplifier in INP-HEMT for Multi-10 Gb/s Data Communication Systems

机译：INP-HEMT中的230-240 GHz，30 dB增益放大器，用于Multi-10 Gb / s数据通信系统
- 作者：Kawano Yoichi;Matsumura Hiroshi;Shiba Shoichi;Sato Masaru
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
43.Achieving the Best Thermal Performance for GaN-on-Diamond

机译：实现金刚石氮化镓的最佳热性能
- 作者：Pomeroy J.;Bernardoni M.;Sarua A.;Manoi A.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
44.Advanced RF IV Waveform Engineering Tool for Use in Device Technology Optimization: RF Pulsed Fully Active Harmonic Load Pull with Synchronized 3eV Laser

机译：用于设备技术优化的高级RF IV波形工程工具：带有同步3eV激光器的RF脉冲全有源谐波负载牵引
- 作者：Casbon M.A.;Tasker P.J.;Wang Wei-Chou;Lin Che-Kai
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
45.An Efficiency and Size Optimized 2GHz 25W Cascaded Doherty RF Power Amplifiers Using GAN HEMTs

机译：使用GAN HEMT的效率和尺寸优化的2GHz 25W级联Doherty RF功率放大器
- 作者：Murao Yoji;Ohgami Kazuya;Kaneko Tomoya
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
46.An LC VCO for High Power Millimeter-Wave Signal Generation

机译：用于大功率毫米波信号生成的LC VCO
- 作者：Lai Szhau;Kuylenstierna Dan;Kozhuharov Rumen;Hansson Bertil
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
47.Base Resistance Scaling for Transistors of Various Geometries

机译：各种几何尺寸晶体管的基极电阻缩放
- 作者：Yang Yingying;Zampardi P.J.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
48.Benchmarking of Large-Area GaN-on-Si HFET Power Devices for Highly-Efficient, Fast-Switching Converter Applications

机译：适用于高效，快速开关转换器应用的大面积GaN-on-Si HFET功率器件基准测试
- 作者：Reiner R.;Waltereit P.;Benkhelifa F.;Muller S.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
49.Electrical and Thermal Performance of AlGaN/GaN HEMTs on Diamond Substrate for RF Applications

机译：金刚石基板上用于射频应用的AlGaN / GaN HEMT的电学和热学性能
- 作者：Dumka D.C.;Chou T.M.;Jimenez J.L.;Fanning D.M.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
50.Frequency Agile Monolithic GaN Doherty Power Amplifier

机译：频率捷变单片GaN Doherty功率放大器
- 作者：Mohamed A.M.Mahmoud;Boumaiza S.;Zine-El-Abidine I.;Mansour R.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
51.Frequency Dispersion of Drain Conductance in AlGaN/GaN HEMT Evaluated Using Sinusoidal Wave Signal Input

机译：使用正弦波信号输入评估AlGaN / GaN HEMT中漏极电导的频率色散
- 作者：Wakejima Akio;Yamada Takashi;Narita Tomotaka;Ando Akihiro
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
52.GaN C-Band HPA for Phased-Array Applications

机译：用于相控阵应用的GaN C波段HPA
- 作者：van Wanum M.;de Hek A.P.;van Vliet F.E.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
53.Heteroepitaxial Growth and Power Devices Using AlGaN/GaN HEMT on 200 mm Si (111) Substrate

机译：在200 mm Si（111）衬底上使用AlGaN / GaN HEMT进行异质外延生长和功率器件
- 作者：Egawa Takashi
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
54.High Efficiency PA Design Strategy at X-Band

机译：X波段的高效功率放大器设计策略
- 作者：Haynes Merv;Tasker Paul J.;Cripps Steve C.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
55.Improved GaN-on-SiC Transistor Thermal Resistance by Systematic Nucleation Layer Growth Optimization

机译：通过系统成核层生长优化改善SiC上的GaN-on-SiC晶体管的热阻
- 作者：Pomeroy J.;Rorsman N.;Chen Jr-Tai;Forsberg U.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
56.Linearity Improvement of GaN HEMT for RF Power Amplifiers

机译：用于射频功率放大器的GaN HEMT的线性度改进
- 作者：Inoue Kazutaka;Yamamoto Hiroshi;Nakata Ken;Yamada Fumio
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
57.Miniaturized Optical DP-QPSK Modulator Module with 3.2-W Power Dissipation Using InP-Based Modulator and Driver ICs

机译：使用基于InP的调制器和驱动器IC的3.2W功耗的微型光学DP-QPSK调制器模块
- 作者：Kono Naoya;Yagi Hideki;Itabashi Naoki;Shoji Hajime
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
58.Multiband and Wide Dynamic Range Digital Polar Transmitter Using Current-Mode Class-D CMOS Power Amplifier

机译：使用电流模式D类CMOS功率放大器的多频带和宽动态范围数字极性发送器
- 作者：Nakatani Toshifumi;Kimball Donald F.;Asbeck Peter M.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
59.Numerical Device Model for Reliable AlGaN/GaN HEMT Structure Design Based on Shear Stress

机译：基于剪切应力的可靠AlGaN / GaN HEMT结构设计数值装置模型
- 作者：Hirose Mayumi;Matsushita Keiichi;Takagi Kazutaka;Tsuda Kunio
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
60.Pure Play GaN Foundry 0.25µm HEMT Technology for RF Applications

机译：用于射频应用的Pure Play GaN铸造厂0.25µm HEMT技术
- 作者：Weng Ming-Hung;Lin Che-Kai;Du Jhih-Han;Wang Wei-Chou
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
61.Selective Growth of Diamond in Thermal Vias for GaN HEMTs

机译：GaN HEMT的热过孔中金刚石的选择性生长
- 作者：Poust Benjamin;Gambin Vincent;Sandhu Rajinder;Smorchkova Ioulia
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
62.Thermal Modeling of High Power GaN-on-Diamond HEMTs Fabricated by Low-Temperature Device Transfer Process

机译：低温器件转移工艺制造的高功率金刚石氮化镓HEMT的热模型
- 作者：Chu Kenneth K.;Yurovchak Thomas;Chao Pane Chane;Creamer Carlton T.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
63.Transistor Laser for Electronic-Photonic Integrated Circuits

机译：电子-光子集成电路的晶体管激光器
- 作者：Feng Milton;Holonyak Nick
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
64.Semiconductor Material and Device Characterization via Scanning Microwave Microscopy

机译：通过扫描微波显微镜表征半导体材料和器件
- 作者：Tanbakuchi Hassan;Kienberger Ferry;Richter Matt;Dieudonne Michael
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
65.AlGaN/GaN HEMT Large Signal Nonlinear Compact Model Accounting for Thermal Effects and Trapping Dispersion

机译：考虑热效应和陷阱分散的AlGaN / GaN HEMT大信号非线性紧凑模型
- 作者：Liu Yueying;Reese Elias
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
66.Cooling Limits for GaN HEMT Technology

机译：GaN HEMT技术的冷却极限
- 作者：Won Yoonjin;Cho Jungwan;Agonafer Damena;Asheghi Mehdi
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年
67.Ka-Band High Power GaN SPDT Switch MMIC

机译：Ka带高功率GaN SPDT开关MMIC
- 作者：Zheng Xiaosu;Tremblay John C.;Huettner Steven E.;Ip Kelly P.
- 会议名称：《IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium》 | 2013年