机译:MCLED结构中量子点的光调制反射率研究:监测腔-基态激子共振
NNL-INFM and Dipartimento di Ingegneria dell'Innovazione, Palazzine Garrisi, Universita di Lecce, via per Arnesano, 73100 Lecce, Italy;
quantum dot; microcavity and photomodulation spectroscopy;
机译:InxGa1-xAs / GaAs / AlAs微腔垂直腔面发射激光器结构在弱耦合条件下的光调制反射率研究:腔/基态激子共振
机译:InGaAs应变减小层覆盖的InAs / GaAs量子点结构,其特征在于光调制反射率
机译:In_(0.3)Ga_(0.7)As / GaAs异质结构的量子阱和量子点中激子共振区域的光谱
机译:使用腔激子-极化子共振的量子点电子自旋的快速,高保真,单次量子非拆卸测量
机译:自组装量子点:对单个和垂直耦合的II型量子点中激子的理论研究。
机译:阶梯状n掺杂GaAs / AlxGa1-xAs量子阱结构上光调制反射率的研究
机译:阶梯状,n掺杂GaAs / AlxGa1-xAs量子阱结构上光调制反射率的研究