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MANUFACTURING METHOD OF QUANTUM DOT STRUCTURE, QUANTUM DOT STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING DEVICE OF QUANTUM DOT STRUCTURE

机译:量子点结构的制造方法,量子点结构,半导体装置以及量子点结构的制造装置

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide new means capable of controlling an arrangement pattern of quantum dots and forming a quantum dot layer without requiring many man-hours.;SOLUTION: The manufacturing method of a quantum dot structure comprises the steps of: irradiating a laser beam of a pattern corresponding to an arrangement pattern of quantum dots onto a source film 25b formed with a thin film of a quantum dot material; releasing micro droplets 26 of the quantum dot material from a region irradiated by the laser beam; fixing the micro droplets 26 of the quantum dot material to a substrate 30 arranged oppositely to the source film 25b; and forming a plurality of quantum dots on the substrate 30 in the arrangement pattern.;COPYRIGHT: (C)2013,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种无需花费很多工时就能控制量子点的排列图案并形成量子点层的新方法。解决方案:量子点结构的制造方法包括以下步骤:照射激光在由量子点材料的薄膜形成的源极膜25b上,将与量子点的配置图案对应的图案的光束照射到由量子点材料的薄膜形成的源极膜25b上。从激光束照射的区域释放量子点材料的微滴26;将量子点材料的微滴26固定在与源膜25b相对的基板30上。 ;并在基板30上以排列图案形成多个量子点。;版权所有:(C)2013,日本特许厅&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2013026496A

    专利类型

  • 公开/公告日2013-02-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NIKON CORP;

    申请/专利号JP20110160879

  • 发明设计人 ARAI MASARU;

    申请日2011-07-22

  • 分类号H01L31/04;H01L21/208;H01L29/06;B82Y40/00;B82Y20/00;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 16:59:03

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