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机译:在多孔GaAs衬底上生长的单个InAs量子点层的长波发射
Laboratoire de Physique et de Chimie des Interfaces, Faculte des Sciences, Bd de l'Environnement, 5019 Monastir, Tunisia;
porous GaAs; anodization; InAs; QDs; MBE; photoluminescence;
机译:GaAs衬底上生长的GaAsSb覆盖的InAs量子点发出的长波长光
机译:在GaAs衬底上生长具有InGaAsSb应变减小层的InAs量子点发出的1.5μm发射光
机译:在GaAs单一和邻近衬底上生长的InAs / GaAs量子点多层结构发出的1.3-1.4#μ#m光致发光
机译:紧密堆积的InAs / GaAs量子点具有长波长发射的偏振光致发光性质的GaAs第一层厚度与厚度的关系
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:具有优化的GaAsSbN覆盖层的InAs / GaAs量子点的长波长室温发光
机译:GaAs衬底上生长的变质InAs / InGaAs纳米结构在电信波长处的单量子点发射