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机译:通过2种“高k”和2种金属沉积技术了解氧化oxide / TiN叠层的热稳定性
STMicroelectronics 850, rue Jean Monnet 38926, Crolles cedex, France;
HfO_2; TiN; interface; stability;
机译:叔丁氧基三(乙基甲基氨基)ha和臭氧在氧化ha上的原子层沉积:快速生长,高密度和热稳定性
机译:具有原子层沉积生长的二氧化ha和等离子体合成的界面层的锗/金属氧化物栅堆叠的电性能
机译:通过溅射和化学溶液沉积氧化物通道铁电栅晶体管应用沉积的氧化铪 - 二氧化锆膜中铁电性的热稳定性
机译:用原子层沉积制备的超薄锡/ HFO2膜叠层物理性质及热稳定性研究
机译:镧在metal基金属栅叠层中的热稳定性研究。
机译:通过热和等离子体增强原子层沉积形成的IV组金属氧化物膜的化学稳定性和耐腐蚀性的比较
机译:发行商注意事项:“用于副0.1μm互补金属氧化物半导体栅极氧化物堆叠的”HFO2 / SiO2接口的热稳定性:软X射线光电子能谱“的价带和定量核心水平研究”J。苹果。物理。 96,6362(2004)