机译:组合方法在金属栅/高κ高级栅叠层功函数工程中的应用
National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland, USA 20899;
metal gate electrodes; CMOS; advanced gate stack; combinatorial methodologies;
机译:使用组合方法确定$ hbox {Ta} _ {1-x} hbox {Al} _ {x} hbox {N} _ {y} / hbox {HfO} _ {{2} $)中的工作函数
机译:不同厚度的可调整功函数金属栅极到高/金属栅极CMOS FinFET的栅极优先集成
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机译:用于CMOS栅电极应用的金属合金和栅堆叠工程。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
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