机译:EUV二元掩模对掩模放大倍率对衍射光影响的严格电磁模拟
National Nano Device Laboratories, Hsinchu 300, Taiwan;
extreme ultraviolet lithography; mask magnification; rigorous coupled-wave analysis;
机译:EUV掩模的严格电磁仿真:吸收体性能的影响
机译:具有严格掩模计算和简化抗蚀剂模型的EUV抗蚀剂模拟
机译:矢量衍射效应对二元掩模光学光刻图像与投影系统放大率的相关性
机译:快速严格的掩模谱模型,用于仿真和分析EUV光刻中的掩模阴影效应
机译:EUV掩模技术的主要挑战:光化掩模检测和掩模3D效果。
机译:STED显微镜中使用空间光调制器的二元相位掩模可轻松实现系统对准和基本像差检测
机译:EUV面罩的严格有限元模拟:形状和材料参数的影响