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机译:未掺杂或轻掺杂的对称双栅MOSFET的电流-电压特性的分析模型
Department of Physics, Aristotle University of Thessaloniki, 54124 Thessaloniki, Greece;
rnDepartment of Physics, Aristotle University of Thessaloniki, 54124 Thessaloniki, Greece;
rnDepartment of Physics, Aristotle University of Thessaloniki, 54124 Thessaloniki, Greece;
rnMEP, MINATEC, Parvis Louis Neel, 38054 Grenoble Cedex 9, France;
rnMEP, MINATEC, Parvis Louis Neel, 38054 Grenoble Cedex 9, France;
rnIMEC, Kapeldreef 75, 3001 Heverlee, Belgium;
analytical drain current model; short-channel; symmetric double-gate MOSFETs;
机译:基于载流子浓度的精确而近似的无掺杂双栅极MOSFET的显式电流-电压模型
机译:未掺杂对称双栅极MOSFET的二维分析阈值电压和亚阈值摆幅模型
机译:栅极氧化层厚度不对称的非掺杂对称双栅MOSFET的解析模型
机译:掺杂双体对称双栅金属氧化物半导体场效应晶体管电流-电压特性的建模研究
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:首要原理的砷和锑双栅极MOSFET的性能
机译:基于非电荷片的非对称双栅mOsFET采用spp方法的分析模型