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一种基于栅调制产生电流提取MOSFET衬底掺杂浓度的方法

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摘要

本发明公开了一种基于栅调制产生电流提取MOSFET衬底掺杂浓度的方法，利用栅调制产生电流曲线对衬底掺杂敏感的特性，使用与被测器件尺寸相同的已知衬底掺杂的MOSFET作为比对器件，将被测的MOSFET器件进行测试I

1. 一种基于栅调制产生电流提取MOSFET衬底掺杂浓度的方法 [P] . 中国专利： CN105895548B . 2018.09.07
2. 一种基于栅控漏极产生电流提取MOSFET平带电压和阈值电压的方法 [P] . 中国专利： CN102692543B . 2015.03.18
3. Method for trimming segment currents in current steering DAC based on most back gate voltage modulation [P] . 美国专利： US9136864B1 . 2015-09-15

机译：基于大多数背栅电压调制的电流控制DAC中的分段电流修整方法
4. Electric power regulation method for polyphase electric motor, involves generating control signals of inverter based on correction parameters to modulate direct voltage and to generate phase current conforming to correction parameters [P] . 法国专利： FR2944885A3 . 2010-10-29

机译：多相电动机的功率调节方法，包括基于校正参数产生逆变器的控制信号，以调制直流电压并产生符合校正参数的相电流。
5. A method for the production of transistors with metal gate electrodes structures with a large ε, the front of the drain / source - regions on the basis of a victim of carbon be produced at a distance holder [P] . 德国专利： DE102009046261B4 . 2012-05-16

机译：一种用于制造具有大的ε的金属栅电极结构的晶体管的方法，在距离保持器处产生基于碳的受害者的漏极/源极-区域的前部