机译:一种基于电荷的紧凑模型,用于预测重掺杂圆柱形环绕栅MOSFET的电流-电压和电容-电压特性
The Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits, Ministry of Education, Peking University, Beijing 100871, PR China;
surrounding-gate mosfet; compact model; doping effect; mosfet performance; circuit simulation;
机译:从本征通道到重掺杂体的长通道圆柱形环绕栅极MOSFET的基于电荷的模型
机译:基于物理但计算有效的核心模型,用于未掺杂的环栅MOSFET电流电压和电容电压特性预测
机译:适用于低掺杂浓度到高掺杂浓度的长通道圆柱形环绕栅MOSFET的紧凑模型
机译:用于任意掺杂圆柱围绕栅极MOSFET的电荷基层型号
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:基于P型伪垂直金刚石肖特基势垒二极管正向电流-电压特性的迁移模型
机译:接口和边界陷阱对IngaAs MOSFET中电流电压,电容 - 电压和分裂 - CV移动性测量的影响