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机译:用于MEMS的异质外延3C-SiC的高级残余应力分析和有限元模拟
National Research Council (CNR–IMM), Institute of Microelectronics and Microsystems , Catania, Italy;
Heteroepitaxial 3C–SiC; microelectromechanical systems (MEMS) application; simulation analysis; stress analysis;
机译:MEMS应用异质外延3C-SiC / Si的力学性能和残余应力评估
机译:高质量异质外延3C-SiC用于MEMS的微结构高级应力分析
机译:传感器和器件应用中硅上3C-SiC异质外延生长中应力场的扩展表征
机译:MEMS应用中3C-SiC / Si异质外延生长的高级残余应力分析
机译:模拟和比较3C-SiC,6H-SiC和4H-SiC纳米线的性能。
机译:电子MEMS和LED应用中经过高温退火的n-3C-SiC / p-Si异质结的出色整流性能
机译:MEMS中薄膜残余应力的有限元模拟
机译:用微拉曼光谱法检测siC mEms中的残余应力