Si基3C-SiC反向外延的选择生长和残余应力研究

杨翰飞; 杨治美; 廖熙; 龚敏; 孙小松

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Si基3C-SiC反向外延的选择生长和残余应力研究

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采用一种新的LPCVD方法在Si衬底上通过SiO_2作为掩蔽层,进行3C-SiC的反向外延的选择性生长.TEM,AFM和XRD结果显示3 C-SiC沿(111)面成功实现了较高质量的外延选择生长,其界面清晰,掩蔽良好.生长出的3C-SiC薄膜为织构晶体,单晶性良好.残余应力测试表明3C-SiC薄膜晶格发生压应变,选择性生长区域的残余应力显著降低.据此结果建立了残余应力的形成机制.

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来源
《四川大学学报：自然科学版》 |2011年第1期|121-125|共5页
作者
杨翰飞; 杨治美; 廖熙; 龚敏; 孙小松;
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作者单位

四川大学物理科学与技术学院四川省微电子重点实验室;

成都610064;

四川大学材料科学与技术学院;

成都610064;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
立方碳化硅; 选择生长; 掩蔽层; 衍射峰位置; 残余应力;

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