机译:具有非对称声子晶体束缚的硅上压电阵列谐振器
Department of Electrical Engineering, IIT Madras, Chennai, India;
Department of Electrical Engineering, IIT Madras, Chennai, India;
Department of Electrical Engineering, IIT Madras, Chennai, India;
Q-factor; Resonant frequency; Crystals; Resistance; Acoustics; Electrodes; Substrates;
机译:使用谐振板形状和旋流晶体压电对硅MEMS谐振器的高质量系数设计
机译:多级声子晶体结构,用于降低薄膜压电硅上微机电系统谐振器的锚固损耗
机译:接近使用声子晶体系链的微机械体声谐振器的固有品质因数极限
机译:ALN压电对硅谐振器中频率选择性质量因子增强函声晶系的设计
机译:通过对基板和系链进行修改,微机械加工的薄膜硅上压电薄膜横向延伸谐振器的性能得到提高。
机译:Q-系数提高薄膜压电对硅MEMS谐振器通过呼吸晶体反射器复合结构
机译:用于提高AlN硅压电谐振器频率选择品质因数的声子晶体束线的设计