机译:无掺杂双栅极Mosfet的I-v特性的紧凑模型
double gate mosfet; analytic solution; lambert function;
机译:PD / FD SOI MOSFET的统一I-V模型,具有浮体效应的紧凑模型
机译:开发与ITRS兼容的MOSFET建模程序,并针对RF /模拟MOSFET进行I-V特性建模
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机译:辐照MOSFET的I-V特性的紧凑模型:工作温度和界面陷阱的影响
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:高效I-V特性估计的近似单二极管光伏模型
机译:mOsFET I-V特性的紧凑建模及其仿真 剂量依赖性漏极电流
机译:mOsFETs动态特性的紧凑建模