一种HEMT的温度相关的I-V特性及其高阶跨导的模型

摘要

本发明公开了一种HEMT的温度相关的I‑V特性及其高阶跨导的模型，建模包括(1)测试HEMT的漏源电流Ids；对步骤(1)漏源电流Ids测试数据进行处理，从而得到测试的漏源电流Ids的一阶跨导gm，二阶跨导gm2和三阶跨导gm3；(3)基于人工神经网络建立漏源电流Ids的仿真模型；计算步骤(3)建立的漏源电流Ids的仿真模型的跨导，从而得到漏源电流Ids的仿真模型的gm，gm2和gm3；计算步骤(3)建立的仿真模型的精度，若仿真模型的精度不满足实际需求，则返回步骤(3)；反之，所得仿真模型即为所求。本发明可针对于不同工艺HEMT建立温度相关的I‑V特性及其高阶跨导模型，适用面广，移植性强。