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张森; 国凤云; 刘波; 冯志宏; 赵连城;
中国电子学会;
AllaN; HEMT; I-V特性; 表面态;
机译:基于晶格匹配和极化匹配的AllnN / GaN异质结构的共振隧穿二极管的负差分电阻特性的理论研究
机译:ALLNN / GAN分布式布拉格反射器的GaN基垂直腔表面发射激光器的动态特性和装置劣化
机译:具有GaN / A1 GaN / GaN结的二极管具有独特的I-V特性
机译:使用机器学习技术的GaN150 HEMT I-V I-V特性的高温模型
机译:选择性接触双沟道高电子迁移率场效应晶体管的制作与分析
机译:从硅衬底上分离出来的独立式GaN上的InGaN / GaN蓝色发光二极管的正向隧穿特性研究
机译:插入在两个AIN层之间的GaN厚度对晶格匹配的AllnN / AIN / GaN / AIN / GaN双通道异质结构的输运性能的影响
机译:受体密度对alGaas / Gaas mODFET高通道载流子密度I-V特性的影响
机译:I-V特性测量装置,I-V特性测量方法和用于I-V特性测量装置的程序
机译:太阳能电池的I-V特性测量设备和I-V特性测量方法,以及录制有I-V特性测量设备的程序的记录介质
机译:用于太阳能电池的I-V特性测量设备和I-V特性测量方法,以及记录有用于I-V特性测量设备的程序的记录介质
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