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祃龙; 王燕; 余志平; 田立林;
清华大学微电子学研究所;
AlGaN/GaN; HEMT; 二维电子气; 输出特性;
机译:AlGaN / GaN HEMT器件中基于物理的I-V和C-V特性的紧凑模型
机译:AlGaN / GaN HEMT器件的二维电子气及Ⅰ-Ⅴ特性的优化
机译:基于材料和物理尺寸的梯度Algan / GaN HEMT器件性能设计优化
机译:AlGaN / GaN HEMT:通过数值模拟表征脉冲I-V器件
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:alGaN / GaN HEmT中时间相关电场的降解分析。
机译:兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法
机译:氟化石墨烯钝化的AlGaN / GaN基HEMT器件及其制造方法
机译:AlGaN / GaN HEMT器件的制造方法
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