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机译:5 kV多电子束光刻:MAPPER工具和抗蚀剂工艺表征
CEA Grenoble-MINATEC, 17 rue des Martyrs, F38054 Grenoble, France;
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MAPPER Lithography B.V., Computerlaan 15, 2628 XK Delft, The Netherlands;
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CEA Grenoble-MINATEC, 17 rue des Martyrs, F38054 Grenoble, France;
机译:正负电阻在200 kV电子束光刻技术下的灵敏度特性
机译:使用正性光刻胶ZEP520 / P(MMA-MAA)/ PMMA三层膜通过在50 kV电子束光刻下两次曝光进行亚100 nm T栅极制造
机译:使用50 kV和100 kV电子束光刻系统模拟HEMT中亚微米级的0.1μmT栅极三层工艺对毫米波频率的影响
机译:准备在MAPPER工具上以5kV进行多束曝光:高级抗蚀剂/堆叠的光刻和工艺集成性能
机译:聚合物抗蚀剂的电子束感应电导率效应和电子束光刻中的电荷感应电子束偏转模拟。
机译:用于高纵横比和高灵敏度电子束光刻的SML抗蚀剂处理
机译:不可食用的基于纤维素的生物质抗蚀剂材料适合于用于电子束光刻的水基处理