二氧化碳基聚碳酸环己撑酯电子束光刻胶显影工艺优化

摘要

电子束光刻是下一代光刻技术中的有力竞争者,在微纳加工尤其是光刻掩膜制造上具有显著的竞争优势.开发高性能的光刻胶并优化出最佳的显影条件和工艺是提升电子束光刻效率的基础.本文在前期开发出的二氧化碳基聚碳酸酯电子束光刻胶的基础上,进一步探究了正性聚碳酸环己撑酯(PCHC)胶的显影条件对电子束光刻性能的影响,具体研究了显影剂以及显影温度和时间等工艺条件,筛选出了最优显影剂正己烷,最佳显影温度0°C,最佳显影时间30 s.在该条件下,PCHC的灵敏度和对比度分别为208 μC/cm2和3.06,并实现了53 nm的分辨率,超过了当下广泛使用的PMMA-950k电子束光刻胶,有望为科研院所和半导体加工车间提供一种性能优异、成本低廉的新型电子束光刻胶.