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机译:通过选择性蚀刻对III-V异质结构纳米线进行集成,形成间隙并使其锐化
机译:通过选择性蚀刻对III-V异质结构纳米线进行集成,形成间隙并使其锐化
机译:纳米管模板中III-V纳米线的选择性区域生长及其在硅上的异质结构:纳米器件的单片集成
机译:通过选择性蚀刻嵌入的InP片段在InAs纳米线中形成纳米间隙
机译:InAs / InP纳米线中InP的选择性蚀刻,产生11 nm的纳米间隙
机译:控制选择性蚀刻的纳米线异质结构中的纳米间隙尺寸。
机译:通过III-V CMOS应用激光干涉纳米光刻和选择性干法刻蚀制备HfO2图案
机译:通过选择性蚀刻的III-V异质结构纳米线的集成,间隙形成和锐化
机译:III-V异质结构复杂组合的高级等离子体蚀刻