InAs/InP; heterostructure nanowire; nanogap electrodes; selective etching;
机译:通过选择性蚀刻嵌入的InP片段在InAs纳米线中形成纳米间隙
机译:选择性区域金属有机气相外延法制备InP / InAs / InP核-多壳异质结构纳米线
机译:InAs / InP核/壳纳米线气体传感器:InP壳对灵敏度和长期稳定性的影响
机译:在INAS / INP纳米线中选择性蚀刻INP,导致11 NM Nanogaps
机译:用于薄膜和纳米线INP太阳能电池的载体选择性触点
机译:单个InP / InAs异质结构纳米线在室温下的电信频段激光发射
机译:选择性区域金属有机气相外延法制备InP / InAs / InP核-多壳异质结构纳米线
机译:在BCl(3)基化学中的III-V半导体的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分:Inp,InGaas,InGaasp,Inas和allnas;应用表面科学