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机译:硅上高压溅射沉积金属metallic薄膜的原位等离子体氧化工艺优化
Departamento de Física Aplicada III (Electricidad y Electrónica), Facultad de Ciencias Físicas, Universidad Complutense de Madrid, E-28040 Madrid, Spain;
机译:高压溅射沉积在硅上的ado薄膜异常热氧化
机译:原位等离子体氧化高压溅射沉积氧化oxide的电学表征
机译:空穴注入以及次氧化物和金属硅原子的夹杂对溅射沉积氧化硅膜重复电阻转换的影响研究
机译:高压溅射沉积在硅上的金属g作为高介电常数电介质的等离子体氧化
机译:通过高压氧气溅射沉积LaxBa1-xSnO3薄膜的迁移率优化
机译:在不加热衬底的情况下通过射频磁控等离子体溅射沉积的铝掺杂氧化锌薄膜的空间分辨光电性能
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