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机译:曝光卡盘过程中极端紫外光刻掩模版中的颗粒诱导变形
Computational Mechanics Center, University of Wisconsin, 1513 University Ave., Madison, Wisconsin 53706;
机译:预测用于预生产和生产曝光工具的极紫外光刻掩模版的热机械变形
机译:夹带的微粒使被卡住的极紫外光罩变形
机译:基于测量相关的低阶模型的极紫外光刻光刻版中的热变形预测
机译:预测晶片级IP误差由于粒子引起的EUVL掩模掩模掩模掩模掩模性失真而曝光夹持
机译:预测由于在吸盘过程中夹带颗粒而导致的极端紫外线光刻掩模的图案表面变形。
机译:迈向极紫外光刻的高精度反射计
机译:用于极端紫外线光刻(EUVL)微场曝光工具(METS)的投影光学器件,数值孔径为0.5
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。